Установка может быть применена в линиях для отмывки п/п пластин и в кристальном произ-водстве, а также может быть выполнена для производства шаблонов. Установка выполняет очист-ку вращающейся полупроводниковой пластины струей моющего раствора озвученной мегазвуко-выми колебаниями с последующей ее отмывкой деионизованной водой и сушкой струей азота с парами изопропилового спирта. Схема очистки пластины в установке приведена на рис.1:
Установка работает по принципу «из кассеты в кассету».
Мегазвуковые колебания создает в потоке воды кавитацию и микроструи, что обеспечивает высокую очищающую способность, позволяющую удалять частицы с размерами до 80 нм, как с чувствительных поверхностей подложки, так и из канавой внутри микроструктур, например (МЭМС).
При обычной сушке методом центрифугирования пластин имеющих на своей поверхности сформированную структуру, часто наблюдается присутствие остаточной влаги в каналах направлением перпендикулярным радиусу пластины вследствие действия центробежных сил и «вжимания» капель в ближний к периферии пластины уголок канала (Рис.2). Как правило в этих же местах задерживаются и загрязняющие микрочастицы, что приводит к повышению дефектности при обработке пластин. Сушка же струей азота с содержанием паров изопропанола так же обладает большой очищающей способностью. Взаимодействие паров изопропанола с по-верхностью воды на пластине образует реакционную зону, которая , по сравнению с центрифу-гированием, лучше удаляет микрочастицы.
Диаметр обрабатываемых пластин 76, 100, 150; 150, 200 мм.
Срок разработки и изготовления 9 месяцев.
Стоимость определяется по согласованию с Заказчиком